Тензосопротивление $n$-Ge разной кристаллографической ориентации при наличии классически сильного магнитного поля и без него

Экспериментально и теоретически исследованы изменения тензосопротивления, тензомагнето- и магнетотензосопротивления в широких диапазонах напряженностей магнитного поля, 0 $\le H\le$ 100 кЭ, и механических напряжений, 0 $\le X \le$ 0.7 ГПа, при 77 K в условиях невырожденной статистики электронного газа в кристаллах $n$-Ge разной кристаллографической ориентации.