RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 7, страницы 998–1003 (Mi phts6118)

Эта публикация цитируется в 14 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Рост внутренних оптических потерь с увеличением тока накачки и выходная мощность лазеров на квантовых ямах

З. Н. Соколоваa, Д. А. Веселовa, Н. А. Пихтинa, И. С. Тарасовa, Л. В. Асрянb

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Virginia Polytechnic Institute and State University, Blacksburg, USA

Аннотация: Представлены результаты расчетов рабочих характеристик полупроводниковых лазеров на квантовых ямах с учетом роста внутренних оптических потерь в волноводной области с увеличением тока накачки. Использовано условие глобальной электронейтральности в структуре, которое заключается в равенстве суммарного заряда электронов в активной и волноводной областях суммарному заряду дырок в этих двух областях. Получено хорошее согласие измеренной и рассчитанной ватт-амперных характеристик.

Поступила в редакцию: 19.01.2017
Принята в печать: 25.01.2017

DOI: 10.21883/FTP.2017.07.44661.8522


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2017, 51:7, 959–964

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024