RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 6, страницы 726–728 (Mi phts6121)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

XV Международная конференция ''Термоэлектрики и их применения-2016'', Санкт-Петербург, 15-16 ноября 2016 г.

Эффективная масса плотности состояний и подвижность носителей заряда в гетероэпитаксиальных пленках теллурида висмута и твердых растворах Bi$_{0.5}$Sb$_{1.5}$Te$_{3}$

Л. Н. Лукьянова, Ю. А. Бойков, О. А. Усов, В. А. Данилов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Показано, что коэффициент термоэдс $\alpha$, параметр мощности $\alpha^{2}\sigma$ и эффективная масса плотности состояний m/m$_{0}$ в гетероэпитаксиальных пленках твердых растворов Bi$_{0.5}$Sb$_{1.5}$Te$_{3}$ возрастают по сравнению с объемными термоэлектриками. Рост и слабые температурные зависимости этих величин приводят к увеличению параметра материала, пропорционального эффективной массе, подвижности и термоэлектрической эффективности. Характер изменения $\alpha$, $\alpha^{2}\sigma$ и $m/m_{0}$ определяется особенностями механизма рассеяния носителей заряда, анизотропией поверхности постоянной энергии и возможным влиянием топологических поверхностных состояний дираковских фермионов в пленках.

Поступила в редакцию: 12.12.2016
Принята в печать: 19.12.2016

DOI: 10.21883/FTP.2017.06.44543.02


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2017, 51:6, 692–694

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024