RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 6, страницы 736–739 (Mi phts6124)

Эта публикация цитируется в 12 статьях

XV Международная конференция ''Термоэлектрики и их применения-2016'', Санкт-Петербург, 15-16 ноября 2016 г.

Гальваномагнитные свойства тонких пленок Bi$_{85}$Sb$_{15}$ на различных подложках

В. А. Комаров, А. В. Суслов, М. В. Суслов

Российский государственный педагогический университет им. А. И. Герцена, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Представлены результаты исследования гальваномагнитных свойств тонких блочных пленок Bi$_{85}$Sb$_{15}$ на подложках с различным коэффициентом температурного расширения. Выявлено большое влияние различия температурного расширения материала пленки и подложки на гальваномагнитные свойства пленок. Анализ свойств пленок в рамках двухзонной модели показал, что различие свойств пленок на различных подложках связано с изменением концентрации и подвижности носителей заряда. Показано, что для исследованного состава пленок уменьшение коэффициента температурного расширения материала подложки приводит к уменьшению концентрации носителей заряда, что указывает на значительное отличие в изменении зонной структуры пленок по сравнению с изменениями, происходящими при увеличении концентрации сурьмы.

Поступила в редакцию: 12.12.2016
Принята в печать: 19.12.2016

DOI: 10.21883/FTP.2017.06.44546.05


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2017, 51:6, 702–705

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024