RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 6, страницы 740–743 (Mi phts6125)

Эта публикация цитируется в 6 статьях

XV Международная конференция ''Термоэлектрики и их применения-2016'', Санкт-Петербург, 15-16 ноября 2016 г.

Структура термоэлектрических пленок высшего силицида марганца на кремнии по данными электронной микроскопии

А. С. Ореховab, Т. С. Камиловc, Б. В. Ибрагимоваc, Г. И. Ивакинa, В. В. Клечковскаяa

a Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова Федерального научно-исследовательского центра "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук, Москва, Россия
b Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", г. Москва
c Ташкентский государственный технический университет

Аннотация: Проведен сравнительный анализ структурных особенностей пленок высшего силицида марганца, выращенных методом диффузионного легирования монокристаллических подложек кремния парами марганца в запаянной ампуле и проточном кварцевом реакторе при постоянной откачке. Методами растровой электронно-ионной микроскопии и высокоразрешающей просвечивающей электронной микроскопии показано, что в откаченной ампуле формируется однофазная текстурированная пленка высшего силицида марганца. Изменение условий роста со стационарных (ампула) на квазистационарные (реактор) приводит к формированию поликристаллических островков высшего силицида марганца с наноразмерными включениями фазы моносилицида марганца.

Поступила в редакцию: 12.12.2016
Принята в печать: 19.12.2016

DOI: 10.21883/FTP.2017.06.44547.06


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2017, 51:6, 706–709

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024