RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 6, страницы 756–758 (Mi phts6129)

XV Международная конференция ''Термоэлектрики и их применения-2016'', Санкт-Петербург, 15-16 ноября 2016 г.

Моделирование активированного электрическим полем спекания термоэлектриков

Л. П. Булатa, А. В. Новотельноваa, В. Б. Освенскийb, А. С. Тукмаковаa, Д. Ережепa

a Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
b ОАО "Гиредмет", Москва, Россия

Аннотация: С использованием нестационарной компьютерной модели рассмотрен процесс активированного полем спекания составных ветвей термоэлементов. Предложена модификация оснастки. Оснастка асимметричной формы, содержащая изолирующий слой, способствует формированию в образце перепада температур, достигающего нескольких сотен градусов. Проанализировано влияние толщины электроизоляционного слоя на величину осевого и радиального перепадов температур в образцах. Показана возможность понижения радиального температурного градиента.

Поступила в редакцию: 12.12.2016
Принята в печать: 19.12.2016

DOI: 10.21883/FTP.2017.06.44551.11


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2017, 51:6, 722–724

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024