RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 6, страницы 787–791 (Mi phts6136)

Эта публикация цитируется в 4 статьях

Электронные свойства полупроводников

Моделирование диффузионно-дрейфового транспорта носителей заряда в полупроводниковых слоях с фрактальной структурой в переменном электрическом поле

С.Ш. Рехвиашвили, А. А. Алиханов

Институт прикладной математики и автоматизации КБНЦ Российской академии наук, Нальчик, Россия

Аннотация: На основе дифференциального уравнения в частных производных дробного порядка проведено моделирование диффузионно-дрейфового транспорта носителей заряда в полупроводниковом слое с фрактальной структурой под действием продольного переменного электрического поля. В рамках модели показано, что в слоях с фрактальной структурой имеют место уширение и асимметрия пространственно-временных распределений носителей заряда. При определенных условиях наблюдается эффект удвоения частоты осцилляций заряда во внешнем переменном электрическом поле.

Поступила в редакцию: 22.11.2016
Принята в печать: 23.11.2016

DOI: 10.21883/FTP.2017.06.44558.8433


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2017, 51:6, 755–759

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024