RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 6, страницы 815–820 (Mi phts6140)

Эта публикация цитируется в 5 статьях

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Первопринципное исследование электронного и колебательного строений тетрагонального диарсенида кадмия

Ю. М. Басалаев, А. В. Копытов, А. С. Поплавной, Ю. И. Полыгалов

Кемеровский государственный университет

Аннотация: Электронный спектр, деформационная электронная плотность и фононные частоты в центре зоны Бриллюэна тетрагонального соединения CdAs$_{2}$ вычислены из первых принципов на основе метода функционала плотности. Установлено, что кристалл является непрямозонным с шириной запрещенной зоны $\sim$1 эВ, что хорошо согласуется с известными оптическими и электрофизическими экспериментальными данными. Изучены особенности образования химической связи в кристалле, обусловленные тем, что атомы мышьяка образуют спиральные цепочки из ковалентных связей As–As, тогда как связь Cd–As является ионно-ковалентной. Вычисленные из первых принципов и в модели Китинга фононные частоты сопоставлены между собой и с экспериментом, выполнен анализ парциональных вкладов атомов Cd и As.

Поступила в редакцию: 18.10.2016
Принята в печать: 15.11.2016

DOI: 10.21883/FTP.2017.06.44562.8434


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2017, 51:6, 783–788

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024