RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 6, страницы 830–834 (Mi phts6142)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Физика полупроводниковых приборов

О пределе инжектирующей способности кремниевых $p^{+}$$n$-переходов, обусловленном влиянием фундаментальных физических эффектов

Т. Т. Мнацакановa, М. Е. Левинштейнb, В. Б. Шуманb, Б. М. Серединc

a Всероссийский электротехнический институт им. В. И. Ленина, Москва, Россия
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
c Южно-Российский государственный политехнический университет (НПИ) им. М. И. Платова, Новочеркасск, Россия

Аннотация: С учетом совокупности нелинейных физических эффектов: электронно-дырочного рассеяния, оже-рекомбинации, сужения ширины запрещенной зоны, нелинейной зависимости времени жизни и подвижности носителей от легирования получены аналитические выражения, описывающие зависимости тока утечки $p^{+}$$n$-перехода от уровня легирования $p^{+}$-области. Показано, что эта зависимость имеет минимум, при котором инжекционная способность перехода максимальна. Проанализирована зависимость положения точки экстремума от основных параметров сильно легированного материала. Полученные результаты позволяют оптимизировать структуру мощных кремниевых приборов и облегчить адекватность оценки численных расчетов.

Поступила в редакцию: 08.09.2016
Принята в печать: 30.11.2016

DOI: 10.21883/FTP.2017.06.44564.8403


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2017, 51:6, 798–802

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024