RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 5, страницы 585–587 (Mi phts6149)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Электронные свойства полупроводников

Расчеты из первых принципов дисперсии фононов в CdGa$_{2}$Se$_{4}$

З. А. Джахангирлиab, Т. Г. Керимоваa, Н. А. Абдуллаевa, И. А. Мамедоваa, Н. Т. Мамедовa

a Институт физики НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан
b Азербайджанский технический университет, г. Баку

Аннотация: Методом функционала плотности рассчитана плотность фононных состояний и дисперсия фононов в зоне Бриллюэна. Построены смещения атомов в элементарной ячейке для колебаний $A$, $B$ и $E$ симметрий. Рассчитанные частоты оптических фононов согласуются с экспериментально определенными частотами из спектров ИК поглощения и КРС. В плоскости $xy$ наблюдается пересечение низкочастотных оптических фононов с акустическими фононами.

Поступила в редакцию: 20.10.2016
Принята в печать: 28.10.2016

DOI: 10.21883/FTP.2017.05.44410.8345


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2017, 51:5, 556–558

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024