Оптические и фотоэлектрические свойства кристаллов ZnSe:Ti

Проведены исследования спектров фотопроводимости и фотолюминесценции кристаллов ZnSe:Ti в видимой и ИК-областях спектрa. Установлено, что высокотемпературная примесная фотопроводимость кристаллов ZnSe:Тi обусловлена оптическими переходами электронов c основного состояния $^{3}A_{2}(F)$ на высокоэнергетические возбужденные состояния с последующим термическим переходом электронов в зону проводимости. Эффективное возбуждение внутрицентровой люминесценции кристаллов ZnSe:Тi осуществляется светом из области собственного поглощения ионов Тi$^{2+}$.