RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 5, страницы 620–622 (Mi phts6156)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Причина расхождения экспериментальных значений высоты барьера на контакте металл–полупроводник

Ш. Г. Аскеров, Л. К. Абдуллаева, М. Г. Гасанов

Бакинский государственный университет, Институт физических проблем

Аннотация: Сделана попытка объяснить причину расхождения высоты барьера для одного и того же контакта металл–полупроводник в работах различных авторов. Предполагалось, что эта проблема в основном связана со структурной неоднородностью металла, в результате чего контакт становится параллельным соединением многочисленных субконтактов, имеющих различные параметры. Для выявления влияния неоднородности металла на свойства контакта исследована зависимость высоты барьера диодов Шоттки от площади контакта. Предполагалось, что в случае контакта монокристаллического полупроводника с поликристаллическим металлом c ростом площади растут степень неоднородности и соответственно число субконтактов.

Поступила в редакцию: 20.09.2016
Принята в печать: 11.09.2016

DOI: 10.21883/FTP.2017.05.44418.8363


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2017, 51:5, 591–593

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024