Особенности баллистического транспорта электронов через открытые двухуровневые системы в сильном высокочастотном электрическом поле

Для несимметричных дувухбарьерных и трехбарьерных резонансно-туннельных структур с тонкими высокими барьерами, образующих открытые двухуровневые системы, получены аналитические выражения для коэффициентов прохождения и отражения электронов в сильном высокочастотном электрическом поле с частотой, близкой к резонансной. Исследованы зависимости ширины и формы резонансных уровней от амплитуды высокочастотного поля. Показано, что для таких структур практически всегда существуют условия, при которых нерезонансные каналы рассеяния вблизи квантовых уровней могут становиться абсолютно прозрачными.