Электронное строение монослойных сверхрешеток (GeC)$_{1}$(SiC)$_{1}$, (SnC)$_{1}$(SiC)$_{1}$ и (SnC)$_{1}$(GeC)$_{1}$

В рамках теории функционала плотности проведено моделирование кристаллической структуры и электронного строения кристаллов GeC, SiC, SnC и сверхрешеток на их основе: GeC/SiC, SnC/SiC, SnC/GeC. Получены равновесные постоянные кристаллических решеток, вычислены зонные спектры, плотности состояний и изучены особенности формирования валентной зоны и химической связи в рассматриваемых кристаллах и сверхрешетках.