О фотопроводимости TlInSe$_{2}$

Исследованы вольт-амперные, люксамперные характеристики и кинетика релаксации фотопроводимости монокристаллов TlInSe$_{2}$. Наблюдаемые аномально большие времена релаксации, $\tau\approx$ 10$^{3}$ c, и другие особенности фотопроводимости объясняются по барьерной теории неоднородных полупроводников. Определена высота дрейфового $E_{dr}\approx$ 0.1 эВ и рекомбинационного $E_{r}\approx$ 0.45 эВ барьеров.