Влияние интеркалированного водорода на электронное состояние квазисвободного графена на подложке SiC

Для оценки роли интеркалированного водорода в допировании квазисвободного эпитаксиального графена рассмотрены две системы: (i) графен–N$H$-SiC$\{0001\}$ и (ii) графен–монослой водорода–N$H$-SiC$\{0001\}$, где N = 4, 6. В случае (i) смещение точки Дирака эпитаксиального графена вызывается электростатическим полем спонтанной поляризации подложки, в случае (ii) – полем двойного электрического слоя, возникающего вследствие адсорбции атомов водорода. Показано, что во втором случае по сравнению с первым концентрация дырок в графене увеличивается, а концентрация электронов уменьшается, что соответствует имеющимся экспериментальным данным.