Фотоэлектрический приемник лазерного излучения ($\lambda$ = 809 нм) на основе GаAs

На основе однопереходных гетероструктур AlGaAs/GaAs, полученных методом эпитаксии из жидкой фазы, созданы преобразователи лазерного излучения с длиной волны $\lambda$ = 809 нм. Разработаны и протестированы фотоэлектрические модули с рабочим напряжением 4 В для преобразования излучения различной плотности. Исследованы два подхода – без использования оптических концентрирующих систем и с применением линз Френеля. В фотоэлектрическом приемнике на основе 64 преобразователей лазерного излучения площадью 0.04 см$^{2}$ и концентрирующей системы из матрицы кварцевых линз достигнут монохроматический кпд преобразования $>$ 44%.