RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 4, страницы 443–445 (Mi phts6175)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Обратимая электрохимическая модификация поверхности полупроводников зондом атомно-силового микроскопа

А. С. Кожуховab, Д. В. Щегловa, А. В. Латышевa

a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
b Новосибирский государственный университет

Аннотация: Предложена и обоснована методика обратимого изменения свойств поверхности зондом атомно-силового микроскопа, когда при локальном изменении поверхностного потенциала образца под зондом атомно-силового микроскопа не происходит заметных механических или топографических изменений. На основе предложенной методики установлена возможность контролируемого относительного изменения омического сопротивления канала в мосте Холла в пределах 20–25%.

Поступила в редакцию: 27.10.2015
Принята в печать: 26.09.2016

DOI: 10.21883/FTP.2017.04.44333.8089


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2017, 51:4, 420–422

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024