RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 4, страницы 453–460 (Mi phts6177)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Динамика абсолютно прозрачных каналов рассеяния электронов в трехбарьерных структурах при двухфотонных переходах

А. Б. Пашковский

Государственное научно-производственное предприятие "Исток", г. Фрязино, Московская обл.

Аннотация: Для несимметричных трехбарьерных резонансно-туннельных структур с тонкими высокими барьерами решение уравнения Шредингера, описывающее резонансные переходы между тремя квантовыми уровнями в сильном двухчастотном электрическом поле, обобщено на случай отстройки частот и энергий от строго резонансных. Исследована зависимость формы резонансных уровней от амплитуды и частоты электрических полей. Показано, что в зависимости от амплитуды СВЧ поля число областей абсолютной прозрачности может доходить до четырех.

Поступила в редакцию: 14.06.2016
Принята в печать: 20.06.2016

DOI: 10.21883/FTP.2017.04.44335.8171


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2017, 51:4, 430–437

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024