Расчеты из первых принципов электронного спектра и плотности состояний кристаллов TlFeS$_{2}$ и TlFeSe$_{2}$

Представлены результаты расчетов из первых принципов в рамках теории функционала плотности электронного спектра кристаллов TlFeS$_{2}$ и TlFeSe$_{2}$ в антиферромагнитной фазе. Исследованы происхождения зон из $s$-, $p$-, $d$-электронных состояний атомов Tl, Fe, S, Se. Установлено, что в этой фазе кристаллы обладают полупроводниковыми свойствами. Величины запрещенной зоны 0.05 эВ (TlFeS$_{2}$) и 0.34 эВ (TlFeSe$_{2}$) соответственно.