RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 4, страницы 547–550 (Mi phts6192)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Физика полупроводниковых приборов

Оптимизация вертикально-излучающего лазера с внутрирезонаторными металлическими слоями

А. А. Лазаренкоab, К. А. Ивановabc, А. Р. Губайдуллинab, М. А. Калитеевскийabd

a Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
c Санкт-Петербургский научный центр РАН
d Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Исследована зависимость затухания собственной оптической моды вертикально-излучающего лазера с внутрирезонаторными металлическими контактами от геометрических параметров системы. Показано, что наименьшее затухание имеет место для частоты собственной моды резонатора, отличной от брэгговской частоты зеркал. Методом $S$-квантования рассчитана вероятность спонтанной эмиссии, и показано, что для высокоэнергетической нечетной моды вероятность спонтанной эмиссии увеличивается на 2 порядка по сравнению с вероятностью эмиссии в свободном пространстве.

Поступила в редакцию: 28.09.2016
Принята в печать: 07.10.2016

DOI: 10.21883/FTP.2017.04.44350.8419


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2017, 51:4, 520–523

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024