P. P. Гусейнов, В. А. Танрывердиев, G. Kipshidze, Е. Н. Алиева, Х. В. Алигулиева, Н. А. Абдуллаев, Н. Т. Мамедов, “Гетероэпитаксиальные структуры InAs$_{1-x}$Sb$_{x}$ на градиентных буферных слоях GaInSb и AlGaInSb”, Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 4,страницы 551

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Гетероэпитаксиальные структуры InAs$_{1-x}$Sb$_{x}$ на градиентных буферных слоях GaInSb и AlGaInSb

P. P. Гусейнов^a, В. А. Танрывердиев^a, G. Kipshidze^b, Е. Н. Алиева^a, Х. В. Алигулиева^a, Н. А. Абдуллаев^a, Н. Т. Мамедов^a

^a Институт физики НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан
^b Stony Brook University, New York, USA

Аннотация: Получены нерелаксированные слои твердого раствора InAs$_{1-x}$Sb$_{x}$ ($x$ = 0.43 и 0.38) методом молекулярно-лучевой эпитаксии с использованием градиентных буферных слоев GaInSb и AlGaInSb. Высокое качество полученных тонких пленок подтверждается результатами исследований высокоразрешающей рентгеновской дифракции и микро-рамановского рассеяния. Выявлен двухмодовый тип перестройки фононных спектров твердых растворов InAs$_{1-x}$Sb$_{x}$.

Поступила в редакцию: 07.09.2016
Принята в печать: 19.09.2016

DOI: 10.21883/FTP.2017.04.44351.8401