RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 4, страницы 558–562 (Mi phts6194)

Эта публикация цитируется в 11 статьях

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Поверхностное наноструктурирование в системе углерод–кремний (100) при микроволновой плазменной обработке

Р. К. Яфаров, В. Я. Шаныгин

Саратовский филиал Института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН

Аннотация: Рассмотрены физико-химические процессы и механизмы влияния плазменной подготовки поверхности на закономерности конденсации и поверхностные фазовые превращения при формировании масковых кремний-углеродных доменов на кристаллах кремния (100) $p$-типа при осаждении субмонослойных углеродных покрытий в СВЧ-плазме паров этанола низкого давления. Показано, что при кратковременных длительностях осаждения углерода на кремниевые пластины с естественным оксидным покрытием при температуре 100$^\circ$C наблюдается формирование доменов с латеральными размерами от 10–15 до 200 нм, а высоты выступов, полученных плазмохимическим травлением кремния через доменные масковые покрытия, изменяются в интервале от 40 до 80 нм.

Поступила в редакцию: 14.02.2016
Принята в печать: 27.09.2016

DOI: 10.21883/FTP.2017.04.44352.8207


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2017, 51:4, 531–535

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024