RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 3, страницы 302–304 (Mi phts6199)

Электронные свойства полупроводников

Повышение точности определения компенсации примесей в чистом, слабокомпенсированном германии по величине поля пробоя

В. Ф. Банная

Московский государственный педагогический университет, Москва

Аннотация: Показано, что измерение поля электрического пробоя $E_{\operatorname{np}}$ в классически сильном магнитном поле $(H)$ при $T$ = 4.2 K позволяет определять величину степени компенсации $K$ в чистом германии с $K<$ 50% значительно точнее, чем при $H$ = 0. Введен параметр $S=E_{\operatorname{np}}/H$ и рассчитана его зависимость $S =f(K)$, полученная кривая позволяет определить $K$, если известны $H$ и $E_{\operatorname{np}}$. Для уменьшения сопротивления образцов рекомендуется проводить измерения при наличии примесной подсветки. Показано, что при малых интенсивностях такого возбуждения величина $E_{\operatorname{np}}$ не меняется.

Поступила в редакцию: 10.05.2016
Принята в печать: 16.05.2016

DOI: 10.21883/FTP.2017.03.44197.8315


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2017, 51:3, 290–292

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024