Температурные зависимости электрических параметров анизотипных гетеропереходов NiO/CdTe

Изготовлены гетероструктуры NiO/CdTe методом реактивного магнетронного распыления. Измерены вольт-амперные характеристики при различных температурах. Установлено, что основными механизмами токопереноса через гетеропереход NiO/CdTe при прямых смещениях является генерационно-рекомбинационный и туннельный, а при обратных – туннельный. Гетероструктуры генерируют напряжение холостого хода $V_{oc}$ = 0.26 В и ток короткого замыкания $I_{sc}$ = 58.7 мкА/см$^{2}$ при интенсивности освещения 80 мВт/см$^{2}$.