Формирование нанокристаллов кремния в многослойных нанопериодических структурах $a$-SiO$_{x}$/диэлектрик по результатам синхротронных исследований

Изучен вопрос эффективности контролируемого формирования массивов кремниевых наночастиц на основе детальных исследований электронного строения многослойных нанопериодических структур $a$-SiO$_{x}$/SiO$_{2}$, $a$-SiO$_{x}$/Al$_{2}$O$_{3}$ и $a$-SiO$_{x}$/ZrO$_{2}$. С применением синхротронного метода спектроскопии ближней тонкой структуры края рентгеновского поглощения обнаружена модификация исследованных структур под влиянием высокотемпературного отжига при максимальной температуре 1100$^\circ$C, объясняемая образованием нанокристаллов кремния в слоях светоизлучающих многослойных структур.