RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив
Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 3, страницы 395–402 (Mi phts6217)
Эта публикация цитируется в 5 статьях

Физика полупроводниковых приборов

AlN/GaN-гетероструктуры для нормально закрытых транзисторов

К. С. Журавлевab, Т. В. Малинa, В. Г. Мансуровa, О. Е. Терещенкоab, К. К. Абгарянc, Д. Л. Ревизниковc, В. Е. Земляковd, В. И. Егоркинd, Я. М. Парнесe, В. Г. Тихомировe, И. П. Просвиринf

a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
b Новосибирский государственный университет
c Вычислительный центр им. А. А. Дородницына. Федеральный исследовательский центр "Информатика и управление" Российской академии наук, Москва, Россия
d Национальный исследовательский университет "МИЭТ"
e ЗАО "Светлана-Электронприбор", г. Санкт-Петербург
f Институт катализа им. Г. К. Борескова СО РАН, г. Новосибирск

Аннотация: Рассчитана конструкция AlN/GaN гетероструктур со сверхтонким AlN-барьером для нормально закрытых транзисторов. Развита технология молекулярно-лучевой эпитаксии in situ пассивированных гетероструктур SiN/AlN/GaN с двумерным электронным газом. Продемонстрированы нормально закрытые транзисторы с максимальной плотностью тока около 1 А/мм, напряжением насыщения 1 В, крутизной до 350 мС/мм, пробивным напряжением более 60 В. В транзисторах практически отсутствуют эффекты затворного и стокового коллапса тока.

Поступила в редакцию: 30.08.2016
Принята в печать: 05.09.2016

DOI: 10.21883/FTP.2017.03.44215.8287


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2017, 51:3, 379–386

Реферативные базы данных:

© МИАН, 2024