RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 3, страницы 409–413 (Mi phts6219)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Свойства пленок ZnO : Er$^{3+}$, полученных золь-гель методом

В. В. Малютина-Бронскаяa, А. В. Семченкоb, В. В. Сидскийb, В. Е. Федоровc

a Государственное научно-производственное объединение "Оптика, оптоэлектроника и лазерная техника", г. Минск
b Гомельский государственный университет имени Франциска Скорины
c Институт неорганической химии им. А. В. Николаева СО РАН, г. Новосибирск

Аннотация: В процессе выполнения данной работы на поверхностях монокристаллического кремния и стекла синтезированы золь-гель методом поликристаллические и однофазные пленки ZnO : Al : Er$^{3+}$, на основе различных типов растворителей. Из анализа электрофизических измерений (вольт-амперные и вольт-фарадные характеристики) следует, что пленки ZnO : Al : Er$^{3+}$ обладают фоточувствительными свойствами. Введение ионов редкоземельного металла Er$^{3+}$ в пленки оксида цинка проявляется в появлении фоточувствительности вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик на излучение в видимом и инфракрасном диапазонах длин волн. Полученные результаты данной работы показывают, что пленки ZnO : Al : Er$^{3+}$, синтезированные золь-гель методом, могут быть использованы в оптоэлектронных приборах и, в частности, для создания активных слоев солнечных элементов.

Поступила в редакцию: 26.07.2016
Принята в печать: 27.07.2016

DOI: 10.21883/FTP.2017.03.44217.8300


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2017, 51:3, 392–395

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024