Аннотация:
В процессе высокотемпературной карбонизации пористого кремния и кремниевых нанонитей получены нитевидные структуры карбида кремния (SiC) с диаметрами 40–50 нм, которые были исследованы методами сканирующей электронной микроскопии, рентгеновской дифракции, комбинационного рассеяния света и спектроскопии инфракрасного отражения. Данные рентгеноструктурного анализа и спектроскопии комбинационного рассеяния света свидетельствуют, что в исследованных образцах доминирует кубический политип 3C-SiC. Форма спектра инфракрасного отражения в области полосы остаточных лучей 800–900 см$^{-1}$ указывает на присутствие свободных носителей заряда. Обсуждается возможность использования полученных нанонитей SiC в устройствах микроэлектроники, фотоники и газовой сенсорики.
Поступила в редакцию: 15.07.2016 Принята в печать: 03.08.2016