RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 3, страницы 421–425 (Mi phts6221)

Эта публикация цитируется в 10 статьях

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Структурные и оптические свойства нанонитей карбида кремния, полученных высокотемпературной карбидизацией кремниевых наноструктур

А. В. Павликовa, Н. В. Латухинаb, В. И. Чепурновc, В. Ю. Тимошенкоac

a Физический факультет, Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова
b Самарский государственный аэрокосмический университет имени академика С. П. Королёва
c Национальный исследовательский Томский государственный университет

Аннотация: В процессе высокотемпературной карбонизации пористого кремния и кремниевых нанонитей получены нитевидные структуры карбида кремния (SiC) с диаметрами 40–50 нм, которые были исследованы методами сканирующей электронной микроскопии, рентгеновской дифракции, комбинационного рассеяния света и спектроскопии инфракрасного отражения. Данные рентгеноструктурного анализа и спектроскопии комбинационного рассеяния света свидетельствуют, что в исследованных образцах доминирует кубический политип 3C-SiC. Форма спектра инфракрасного отражения в области полосы остаточных лучей 800–900 см$^{-1}$ указывает на присутствие свободных носителей заряда. Обсуждается возможность использования полученных нанонитей SiC в устройствах микроэлектроники, фотоники и газовой сенсорики.

Поступила в редакцию: 15.07.2016
Принята в печать: 03.08.2016

DOI: 10.21883/FTP.2017.03.44219.8370


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2017, 51:3, 402–406

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024