RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 2, страницы 166–171 (Mi phts6226)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Электронные свойства полупроводников

Полевая диффузия в неупорядоченных органических материалах в условиях заполнения глубоких состояний

В. Р. Никитенко, А. Ю. Кудров

Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", г. Москва

Аннотация: Развита простая аналитическая модель для коэффициента полевой диффузии при умеренной концентрации носителей заряда. Прыжковый транспорт описывается моделью многократного захвата на основе концепции транспортного уровня. Получено уравнение непрерывности с коэффициентом диффузии, зависящим от концентрации носителей, найдена зависимость коэффициента полевой диффузии от времени в нестационарных условиях. Получены оценки интервалов времени, на которых заполнение глубоких состояний влияет на подвижность и коэффициент диффузии в условиях времяпролетного эксперимента. Показано, что коэффициент полевой диффузии возрастает на длительном временном интервале, хотя подвижность постоянна, что напоминает случай неравновесной начальной генерации в предельном случае низкой концентрации.

Поступила в редакцию: 16.05.2016
Принята в печать: 16.06.2016

DOI: 10.21883/FTP.2017.02.44098.8166


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2017, 51, 158–162

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024