Магнитозависимое микроволновое поглощение в HgSe в слабых магнитных полях

Рассмотрен магниторезистивный эффект в полупроводнике HgSe : Fe в слабых магнитных полях на микроволновых частотах при низких температурах. Проанализированы отрицательная и положительная составляющие магнитопоглощения, основой которого является эффект магнитосопротивления в вырожденной зоне проводимости. Отмечены особенности экспериментов в этом диапазоне частот. Из анализа экспериментальных полевых и температурных зависимостей определены времена релаксации импульса и энергии электрона.