Комбинационное рассеяние света в InP, легированном имплантацией ионов Be$^{+}$

Кристаллы InP с ориентацией (100), имплантированные ионами Be$^{+}$ с энергией 100 кэВ и дозами 10$^{13}$–10$^{15}$ см$^{-2}$, исследованы методом спектроскопии комбинационного рассеяния света до и после термического отжига при температурах 300–850$^\circ$C. Обнаружено, что с ростом дозы имплантированных ионов приповерхностная область InP частично аморфизуется, при этом спектральные линии, связанные с продольными колебаниями решетки претерпевают низкочастотный сдвиг и неоднородное уширение, что свидетельствует о формировании нанокристаллической фазы. Термический отжиг приводит к восстановлению кристаллической структуры InP. При температурах отжига $>$ 700$^\circ$C в спектрах комбинационного рассеяния обнаружено рассеяние на связанных фонон-плазмонных модах, что объясняется электрической активацией примеси. По частоте связанной фонон-плазмонной моды в модели двухосцилляторной диэлектрической функции оценена концентрация тяжелых дырок.