RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 2, страницы 182–186 (Mi phts6229)

Эта публикация цитируется в 4 статьях

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Влияние типа и степени легирования на морфологию $por$-Si, полученного гальваническим травлением

О. В. Пятиловаa, С. А. Гавриловa, Ю. И. Шиляеваa, А. А. Павловb, Ю. П. Шаманc, А. А. Дудинb

a Национальный исследовательский университет "МИЭТ", Москва, Зеленоград, Россия
b Институт нанотехнологий микроэлектроники РАН, Москва, Россия
c НПК "Технологический Центр" МИЭТ, Москва, Зеленоград, Россия

Аннотация: Изучен процесс формирования слоев пористого кремния гальваническим травлением в растворе HF/C$_{2}$H$_{5}$OH/H$_{2}$O$_{2}$ монокристаллического Si, легированного бором и фосфором. Проведено исследование $por$-Si методами капиллярной конденсации азота и растровой электронной микроскопии. Установлены зависимости морфологических характеристик $por$-Si, таких как диаметр пор, удельная площадь и объем поверхности, толщина стенок пор, определяющих кинетику горения Si, от типа легирования и удельного сопротивления исходной пластины.

Поступила в редакцию: 17.05.2016
Принята в печать: 09.07.2016

DOI: 10.21883/FTP.2017.02.44101.8327


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2017, 51:2, 173–177

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024