Фотолюминесценция аморфных и кристаллических кремниевых нанокластеров в сверхрешетках из нитрида и оксида кремния

Исследованы фотолюминесцентные свойства сверхрешеток на основе нитрида и оксида кремния, изготовленных методом плазмохимического осаждения из газовой фазы. В структурах, отожженных при температуре 1150$^\circ$C, зарегистрированы пики фотолюминесценции в районе 1.45 эВ, обусловленные рекомбинацией экситонов в кремниевых нанокристаллах, формируемых в результате отжига. Наряду с этим были зарегистрированы пики, вызванные рекомбинацией на дефектах, существующих на границе нанокристаллов и матрицы нитрида кремния. Структуры, отожженные при температуре 900$^\circ$C, имеют ряд пиков фотолюминесценции в диапазоне 1.3–2.0 эВ, обусловленных как дефектами, так и рекомбинацией экситонов в аморфных кремниевых нанокластерах, формирующихся при используемой температуре отжига. Наблюдаемые особенности всех спектров фотолюминесценции подтверждаются характером ее кинетики.