Зарождение двумерных островков на Si(111) при высокотемпературном эпитаксиальном росте

Методом in situ сверхвысоковакуумной отражательной электронной микроскопии при высокотемпературном эпитаксиальном росте проведены исследования процесса зарождения двумерных островоков на ультраплоской поверхности Si(111). В интервале температур 900–1180$^\circ$C экспериментально измерен критический размер $(D_{\operatorname{crit}})$ террасы, при достижении которого в центре зарождается двумерный островок, при различных потоках кремния на поверхность. Обнаружено, что $D_{\operatorname{crit}}^{2}$ степенным образом зависит от частоты зарождения островков с показателем степени $\chi=(0.9\pm0.05)$ во всем измеренном температурном интервале. Установлено, что кинетика зародышеобразования определяется диффузией адсорбированных атомов кремния вплоть до температуры 1180$^\circ$C, а минимальный критический размер зародыша соответствует 12 атомам кремния.