RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 2, страницы 226–233 (Mi phts6238)

Эта публикация цитируется в 10 статьях

Углеродные системы

К теории адсорбции на графеноподобных соединениях

С. Ю. Давыдовab

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики

Аннотация: На основании предложенной ранее модели электронного спектра бинарных графеноподобных соединений типа A$_{N}$B$_{8-N}$ построена теория адсорбции, позволяющая выявить роль положения уровня адатома, величины константы взаимодействия адатом–подложка и ширины щели, присущей в свободном состоянии графеноподобному соединению с гетерополярными связями, в формировании электронной структуры адатома. Рассмотрены случаи свободных и эпитаксиальных графеноподобных соединений на поверхности металла. В случае свободных графеноподобных соединений анализ показал, что при больших и промежуточных значениях константы связи адатом–графеноподобное соединение основной вклад в число заполнения адатома $n_{a}$ дают локальные состояния, тогда как с уменьшением константы связи возрастает вклад валентной зоны графеноподобного соединения. Основной особенностью эпитаксиального графеноподобного соединения на металле является отсутствие щели и, как следствие, вклада локальных состояний адатома в $n_{a}$. Оценки показали, что изменения констант связей адатом–подложка и графеноподобное соединение-металл влияют на величину $n_{a}$ практически одинаковым образом. При этом зависимость $n_{a}$ от ширины щели графеноподобного соединения с качественной точки зрения критичной не является. Кратко обсуждается адсорбция на структуре графеноподобное соединение–полупроводник.

Поступила в редакцию: 24.05.2016
Принята в печать: 20.06.2016

DOI: 10.21883/FTP.2017.02.44110.8336


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2017, 51:2, 217–224

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024