RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 1, страницы 12–17 (Mi phts6250)

Эта публикация цитируется в 11 статьях

Электронные свойства полупроводников

Баллистический магнетотранспорт в подвешенном двумерном электронном газе с периодической решeткой антиточек

Е. Ю. Ждановab, А. Г. Погосовab, М. В. Буданцевa, Д. А. Похабовab, А. К. Бакаровab

a Институт физики полупроводников СО РАН, г. Новосибирск
b Новосибирский государственный университет

Аннотация: Исследовано магнетосопротивление подвешенных полупроводниковых наноструктур с двумерным электронным газом, структурированным периодическими квадратными решeтками антиточек. Показано, что баллистический режим электронного транспорта сохраняется после отрыва образцов от подложки. Проведeн прямой сравнительный анализ соизмеримых осцилляций магнетосопротивления, а также их температурных зависимостей в образцах до и после подвешивания. Обнаружено, что температурные зависимости практически идентичны для неподвешенных и подвешенных образцов, в то время как в нелинейном режиме, обусловленном пропусканием постоянного тока, наблюдаются существенные отличия. Соизмеримые осцилляции в подвешенных образцах оказываются более устойчивыми по отношению к воздействию постоянного тока, что предположительно может быть объяснено усилением электрон-электронного взаимодействия после отрыва наноструктур от высокодиэлектрической подложки.

Поступила в редакцию: 05.04.2016
Принята в печать: 12.04.2016

DOI: 10.21883/FTP.2017.01.43988.8259


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2017, 51:1, 8–13

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024