Г. Ф. Новиков, М. В. Гапанович, В. Ф. Гременок, К. В. Бочаров, W.-T. Tsai, Ming-Jer Jeng, Liann-Be Chang, “Время жизни избыточного электрона в порошках Cu–Zn–Sn–Se”, Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 1,страницы 22

Эта публикация цитируется в 1 статье

Электронные свойства полупроводников

Время жизни избыточного электрона в порошках Cu–Zn–Sn–Se

Г. Ф. Новиков^a, М. В. Гапанович^a, В. Ф. Гременок^b, К. В. Бочаров^a, W.-T. Tsai^c, Ming-Jer Jeng^c, Liann-Be Chang^c

^a Институт проблем химической физики РАН, г. Черноголовка Московской обл.
^b Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению, Минск, Республика Беларусь
^c Chang Gung University, Taoyuan, Taiwan

Аннотация: Методом время-разрешенной микроволновой фотопроводимости в диапазоне 36 ГГц в интервале температур 200–300 K изучена кинетика гибели носителей тока в порошках Cu–Zn–Sn–Se, полученных ампульным твердофазным методом синтеза. Время жизни избыточных электронов при комнатной температуре оказалось меньше 5 нс. Энергия активации для процесса рекомбинации составила $E_{a}$ $\sim$ 0.054 эВ.

Поступила в редакцию: 13.04.2016
Принята в печать: 28.04.2016

DOI: 10.21883/FTP.2017.01.43990.8274