RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 1, страницы 40–44 (Mi phts6255)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Циклотронный резонанс дираковских фермионов в квантовых ямах InAs/GaSb/InAs

С. С. Криштопенкоab, А. В. Иконниковac, К. В. Маремьянинac, Л. С. Бовкунa, К. Е. Спиринa, А. М. Кадыковab, M. Marcinkiewiczb, S. Ruffenachb, C. Consejob, F. Teppeb, W. Knapb, Б. Р. Семягинd, М. А. Путятоd, Е. А. Емельяновd, В. В. Преображенскийd, В. И. Гавриленкоac

a Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
b Laboratoire Charles Coulomb, Universite Montpellier II, Montpellier, France
c Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
d Институт физики полупроводников СО РАН, г. Новосибирск

Аннотация: Теоретически исследована зонная структура в трехслойных симметричных квантовых ямах InAs/GaSb/InAs, ограниченных барьерами AlSb. Показано, что в зависимости от соотношения толщин слоев InAs и GaSb в системе может реализовываться нормальная зонная структура, бесщелевое состояние с дираковским конусом в центре зоны Бриллюэна и инвертированная зонная структура (двумерный топологический изолятор). Экспериментальные исследования циклотронного резонанса в образцах с бесщелевым зонным спектром, выполненные при различных значениях концентрации электронов, подтверждают существование безмассовых дираковских фермионов в квантовых ямах InAs/GaSb/InAs.

Поступила в редакцию: 22.03.2016
Принята в печать: 28.03.2016

DOI: 10.21883/FTP.2017.01.43993.8244


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2017, 51:1, 38–42

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024