Аннотация:
Теоретически исследована зонная структура в трехслойных симметричных квантовых ямах InAs/GaSb/InAs, ограниченных барьерами AlSb. Показано, что в зависимости от соотношения толщин слоев InAs и GaSb в системе может реализовываться нормальная зонная структура, бесщелевое состояние с дираковским конусом в центре зоны Бриллюэна и инвертированная зонная структура (двумерный топологический изолятор). Экспериментальные исследования циклотронного резонанса в образцах с бесщелевым зонным спектром, выполненные при различных значениях концентрации электронов, подтверждают существование безмассовых дираковских фермионов в квантовых ямах InAs/GaSb/InAs.
Поступила в редакцию: 22.03.2016 Принята в печать: 28.03.2016