RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 1, страницы 68–74 (Mi phts6260)

Эта публикация цитируется в 6 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Оптимизация параметров источников питания, возбуждаемых $\beta$-излучением

С. В. Булярскийa, А. В. Лакалинa, И. Е. Абанинb, В. В. Амеличевb, В. В. Светухинc

a Институт нанотехнологий микроэлектроники РАН, Москва, Россия
b НПК "Технологический Центр" МИЭТ, Москва, Россия
c Ульяновский государственный университет

Аннотация: Представлены результаты экспериментальных исследований и расчетов эффективности преобразования энергии источников $\beta$-излучения Ni-63 в электрическую с помощью кремниевых $p$$i$$n$-диодов. Все вычисления выполнены с учетом распределения $\beta$-электронов по энергиям. Получено выражение для напряжения холостого хода преобразователя с учетом распределения электронов высоких энергий в области пространственного заряда $p$$i$$n$-диода. Показаны пути оптимизации параметров преобразователя за счет совершенствования технологии изготовления диодов, оптимизации толщины активного слоя излучателя и $i$-области полупроводникового преобразователя. Вычислено распределение потерь на преобразование источника и приемника излучения, а также потерь при входе электронов высоких энергий в полупроводник. Экспериментальные значения эффективности преобразования 0.4–0.7% хорошо согласуются с расчетными параметрами.

Поступила в редакцию: 29.02.2016
Принята в печать: 25.03.2016

DOI: 10.21883/FTP.2017.01.43998.8223


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2017, 51:1, 66–72

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024