В. В. Лундин, С. Н. Родин, А. В. Сахаров, Е. Ю. Лундина, С. О. Усов, Ю. М. Задиранов, С. И. Трошков, А. Ф. Цацульников, “Нитевидные светодиодные микрокристаллы InGaN/GaN субмиллиметровой длины”, Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 1,страницы 101

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Нитевидные светодиодные микрокристаллы InGaN/GaN субмиллиметровой длины

В. В. Лундин^a, С. Н. Родин^a, А. В. Сахаров^a, Е. Ю. Лундина^a, С. О. Усов^b, Ю. М. Задиранов^a, С. И. Трошков^a, А. Ф. Цацульников^bc

^a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур РАН, г. Санкт-Петербург
^c Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики

Аннотация: Нитевидные микрокристаллические светодиодные структуры InGaN/GaN в коаксиальной геометрии длиной 400–600 мкм были выращены методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений на сапфировых и кремниевых подложках. Использовалась технология сверхбыстрого роста нитевидных нано- и микрокристаллов, индуцированного нанослоем титана. При протекании тока наблюдалась электролюминесценция микрокристаллов в сине-зеленом спектральном диапазоне.

Поступила в редакцию: 25.04.2016
Принята в печать: 29.04.2016

DOI: 10.21883/FTP.2017.01.44003.8293