Текстура поверхности монокристаллического кремния, окисленного под тонким слоем V$_{2}$O$_{5}$

Исследован процесс текстурирования поверхности монокристаллического кремния, окисленного под слоем V$_{2}$O$_{5}$. Интенсивное окисление кремния на границе Si–V$_{2}$O$_{5}$ начинается при температуре 903 K, что на 200 K ниже, чем при термическом окислении кремния в атмосфере кислорода. На границе V$_{2}$O$_{5}$–Si образуется слой диоксида кремния толщиной от 30–50 нм с включениями SiO$_{2}$ в кремний глубиной до 400 нм. Найдено значение коэффициента диффузии атомарного кислорода при 903 K через слой диоксида кремния ($D\ge$ 2 $\cdot$ 10$^{-15}$ см$^{2}$ $\cdot$ с$^{-1}$). Предложена модель низкотемпературного окисления кремния, основанная на диффузии атомарного кислорода из V$_{2}$O$_{5}$ через слой SiO$_{2}$ к кремнию и возникновении преципитатов SiO$_{x}$ в кремнии. После удаления слоев V$_{2}$O$_{5}$ и диоксида кремния на поверхности кремния образуется текстура, интенсивно рассеивающая свет в области длин волн 300–550 нм, что важно для текстурирования фронтальной и тыльной поверхностей солнечных фотопреобразователей.