Аннотация:
На основе методов высокоразрешающей рентгеновской дифракции, рамановской и фотолюминесцентной спектроскопии исследованы структурные, оптические и энергетические свойства эпитаксиальных гетероструктур Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As : Mg/GaAs(100) с различной степенью легирования магнием. Показано, что подбором технологических условий в твердом растворе Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As : Mg может быть достигнут не только различный тип проводимости, но и существенно различная концентрация носителей заряда в эпитаксиальной пленке.
Поступила в редакцию: 02.06.2016 Принята в печать: 14.06.2016