RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 1, страницы 124–132 (Mi phts6269)

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Эпитаксиальные твердые растворы Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As : Mg с различным типом проводимости

П. В. Серединa, А. С. Леньшинa, И. Н. Арсентьевb, А. В. Жаботинскийb, Д. Н. Николаевb, И. С. Тарасовb, В. В. Шамаховb, Tatiana Prutskijc, Harald Leisted, Monika Rinked

a Воронежский государственный университет
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
c Instituto de Ciencias, Benemérita Universidad Autónoma de Puebla, Mexico
d Karlsruhe Nano Micro Facility, Eggenstein-Leopoldshafen, Germany

Аннотация: На основе методов высокоразрешающей рентгеновской дифракции, рамановской и фотолюминесцентной спектроскопии исследованы структурные, оптические и энергетические свойства эпитаксиальных гетероструктур Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As : Mg/GaAs(100) с различной степенью легирования магнием. Показано, что подбором технологических условий в твердом растворе Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As : Mg может быть достигнут не только различный тип проводимости, но и существенно различная концентрация носителей заряда в эпитаксиальной пленке.

Поступила в редакцию: 02.06.2016
Принята в печать: 14.06.2016

DOI: 10.21883/FTP.2017.01.44007.8342


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2017, 51:1, 122–130

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024