Н. В. Сибирев, А. А. Корякин, В. Г. Дубровский, “Новый метод формирования гетеропереходов в A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$ нитевидных нанокристаллах”, Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 12,страницы 1592

XX Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 14-18 марта 2016 г.

Новый метод формирования гетеропереходов в A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$ нитевидных нанокристаллах

Н. В. Сибирев^ab, А. А. Корякин^bc, В. Г. Дубровский^bcde

^a Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
^b Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^c Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
^d Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^e Санкт-Петербургский государственный университет

Аннотация: Рассматривается процесс образования осевых гетероструктур в нитевидных нанокристаллах на основе модели роста по механизму пар–жидкость–кристалл. Предложен новый способ формирования гетеропереходов в (Аl,Ga)As нитевидных нанокристаллах, с помощью изменения потока мышьяка.

Поступила в редакцию: 27.04.2016
Принята в печать: 10.05.2016