Е. А. Суровегина, Е. В. Демидов, М. Н. Дроздов, А. В. Мурель, О. И. Хрыкин, В. И. Шашкин, М. А. Лобаев, А. М. Горбачев, А. Л. Вихарев, С. А. Богданов, В. А. Исаев, А. Б. Мучников, В. В. Чернов, Д. Б. Радищев, Д. Е. Батлер, “Атомный состав и электрофизические характеристики эпитаксиальных слоев CVD алмаза, легированных бором”, Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 12,страницы 1595

Эта публикация цитируется в 2 статьях

XX Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 14-18 марта 2016 г.

Атомный состав и электрофизические характеристики эпитаксиальных слоев CVD алмаза, легированных бором

Е. А. Суровегина^a, Е. В. Демидов^a, М. Н. Дроздов^a, А. В. Мурель^a, О. И. Хрыкин^a, В. И. Шашкин^a, М. А. Лобаев^b, А. М. Горбачев^b, А. Л. Вихарев^b, С. А. Богданов^b, В. А. Исаев^b, А. Б. Мучников^b, В. В. Чернов^b, Д. Б. Радищев^b, Д. Е. Батлер^b

^a Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
^b Институт прикладной физики РАН, г. Нижний Новгород

Аннотация: Приведены результаты анализа атомного состава, уровня легирования и подвижности дырок в эпитаксиальных слоях CVD (chemical vapor deposition) алмаза при легировании бором. Показаны возможности однородного легирования бором в диапазоне от 5 $\cdot$ 10$^{17}$ до $\sim$10$^{20}$ ат/см$^{3}$ и $\delta$-легирования с поверхностной концентрацией (0.3–5) $\cdot$ 10$^{13}$ ат/см$^{2}$. Определены режимы прецизионного ионного травления структур, сформированы барьерные и омические контакты к слоям.

Поступила в редакцию: 27.04.2016
Принята в печать: 10.05.2016