RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 12, страницы 1634–1638 (Mi phts6284)

Эта публикация цитируется в 8 статьях

XX Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 14-18 марта 2016 г.

Когерентность конденсата поляритонов в планарных микрорезонаторах в магнитном поле

А. В. Черненкоa, А. Рахими-Иманbc, Ю. Фишерb, М. Амторb, К. Шнайдерb, С. Райзенштайнbd, А. Форхелb, С. Хёфлингb

a Институт физики твердого тела Российской академии наук, г. Черноголовка Московской обл.
b Technische Physik, Physikalisches Institut and Wilhelm Conrad Röntgen Research Center for Complex Material Systems, Universitat Würzburg, Würzburg, Germany
c Department of Physics and Materials Sciences Center, Philipps-Universität Marburg, Marburg, Germany
d Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, Berlin, Germany

Аннотация: В планарных GaAs-микрорезонаторах в магнитном поле до 5 Тл, перпендикулярном плоскости роста структур, в условиях резонансной импульсной накачки в точку, близкую к точке перегиба нижней дисперсионной кривой, наблюдается зеемановское расщепление спиновых подуровней конденсата поляритонов. Оно сопровождается значительным изменением степени циркулярной поляризации и коррелятора 2-го порядка $g^{2}$(0). Оказалось, что коррелятор отличается для расщепленных в магнитном поле спиновых подуровней поляритонного конденсата. В частности, измерения коррелятора свидетельствуют о различии в порогах конденсации для спиновых подуровней. Изначально отличающиеся в отсутствие поля значения коррелятора растут, достигая максимального значения, а затем уменьшаются и сравниваются между собой для разных поляризаций в поле 5 Тл.

Поступила в редакцию: 27.04.2016
Принята в печать: 10.05.2016


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2016, 50:12, 1609–1613

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024