Аннотация:
Обсуждаются способы экспериментальной диагностики и управления величиной отклонения плоскости поверхности монокристаллических алмазных HPHT (High Pressure High Temperature) пластин относительно кристаллографических плоскостей (001). Такие пластины (подложки) используются для гомоэпитаксиального выращивания как легированных, так и нелегированных пленок CVD алмаза. При травлении HPHT подложек в плазме СВЧ разряда в чистом водороде либо в водород-кислородной смеси наблюдается формирование сингулярных террас с ориентацией поверхности (001). Это явление может быть использовано как для экспресс-анализа ориентации подложки и повышения точности контроля угла отклонения при шлифовке подложек, так и для получения макроскопических сингулярных (001) участков монокристаллических алмазных подложек.
Поступила в редакцию: 27.04.2016 Принята в печать: 10.05.2016