RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 12, страницы 1647–1651 (Mi phts6287)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

XX Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 14-18 марта 2016 г.

Формирование сингулярных (001) террас на поверхности монокристаллических HPHT алмазных подложек

П. А. Юнинabc, Ю. Н. Дроздовba, В. В. Черновc, В. А. Исаевc, С. А. Богдановc, А. Б. Мучниковc

a Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
b Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
c Институт прикладной физики РАН, г. Нижний Новгород

Аннотация: Обсуждаются способы экспериментальной диагностики и управления величиной отклонения плоскости поверхности монокристаллических алмазных HPHT (High Pressure High Temperature) пластин относительно кристаллографических плоскостей (001). Такие пластины (подложки) используются для гомоэпитаксиального выращивания как легированных, так и нелегированных пленок CVD алмаза. При травлении HPHT подложек в плазме СВЧ разряда в чистом водороде либо в водород-кислородной смеси наблюдается формирование сингулярных террас с ориентацией поверхности (001). Это явление может быть использовано как для экспресс-анализа ориентации подложки и повышения точности контроля угла отклонения при шлифовке подложек, так и для получения макроскопических сингулярных (001) участков монокристаллических алмазных подложек.

Поступила в редакцию: 27.04.2016
Принята в печать: 10.05.2016


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2016, 50:12, 1622–1625

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024