С. В. Гудина, Ю. Г. Арапов, А. П. Савельев, В. Н. Неверов, С. М. Подгорных, Н. Г. Шелушинина, М. В. Якунин, И. С. Васильевский, А. Н. Виниченко, “Квантовый эффект Холла и прыжковая проводимость в наногетероструктурах $n$-InGaAs/InAlAs”, Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 12,страницы 1669

Эта публикация цитируется в 2 статьях

XX Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 14-18 марта 2016 г.

Квантовый эффект Холла и прыжковая проводимость в наногетероструктурах $n$-InGaAs/InAlAs

С. В. Гудина^a, Ю. Г. Арапов^a, А. П. Савельев^a, В. Н. Неверов^a, С. М. Подгорных^ab, Н. Г. Шелушинина^a, М. В. Якунин^ab, И. С. Васильевский^c, А. Н. Виниченко^c

^a Институт физики металлов им. М.Н. Михеева УрО РАН, г. Екатеринбург
^b Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б. Н. Ельцина, г. Екатеринбург
^c Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", г. Москва

Аннотация: Измерены продольное и холловское магнитосопротивления в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктурах $n$-InGaAs/InAlAs при температурах $T$ = (1.8–30) K в магнитных полях до $B$ = 9 Tл. Температурно-индуцированный транспорт в области минимумов продольного сопротивления, соответствующих областям плато на холловском сопротивлении, был исследован в рамках концепции прыжковой проводимости в сильно локализованной электронной системе. Анализ проводимости с переменной длиной прыжка в областях второго, третьего и четвертого плато квантового эффекта Холла дал возможность определить критические индексы длины локализации.

Поступила в редакцию: 17.04.2016
Принята в печать: 10.05.2016