Электролюминесценция структур с самоформирующимися наноостровками Ge(Si), заключенными между напряженными слоями кремния

Впервые исследована электролюминесценция структур с самоформирующимися наноостровками Ge(Si), выращенными на релаксированных буферах SiGe/Si(001) и заключенными между слоями напряженного кремния. Сигнал электролюминесценции от исследованных структур наблюдается в области длин волн 1.6–2.0 мкм, более длинноволновой области спектра по сравнению со структурами с островками Ge(Si), сформированными на подложках Si(001). Это позволяет рассматривать структуры с островками Ge(Si), заключенными между напряженными слоями Si, в качестве кандидатов для создания на кремнии источников излучения на диапазон длин волн $>$ 1.55 мкм.