К. А. Ковалевский, Р. Х. Жукавин, В. В. Цыпленков, С. Г. Павлов, Г.-В. Хьюберс, Н. В. Абросимов, В. Н. Шастин, “Поляризация терагерцового стимулированного излучения доноров в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 12,страницы 1701

XX Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 14-18 марта 2016 г.

Поляризация терагерцового стимулированного излучения доноров в кремнии

К. А. Ковалевский^a, Р. Х. Жукавин^a, В. В. Цыпленков^a, С. Г. Павлов^b, Г.-В. Хьюберс^bc, Н. В. Абросимов^d, В. Н. Шастин^a

^a Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
^b Берлинский университет им. Гумбольдта, Берлин
^c Институт оптических сенсорных систем DLR, Берлин
^d Институт роста кристаллов, Берлин

Аннотация: Приводятся результаты экспериментального исследования поляризации терагерцового (4.9–6.4 ТГц) стимулированного излучения доноров V группы (Sb, P, As, Bi) в монокристаллическом кремнии при их накачке (фотоионизации) излучением CO$_{2}$-лазера (энергия кванта 117 мэВ) в зависимости от величины одноосной деформации сжатия кристалла по оси [100]. Также обсуждается влияние направления поля волны накачки на ее эффективность.

Поступила в редакцию: 27.04.2016
Принята в печать: 10.05.2016